2000年
· 國(guo)(guo)內首次研(yan)發出快恢復高壓(ya)硅堆,填補(bu)國(guo)(guo)內空(kong)白
2002年
· 國內首次研發出區熔硅單晶,填補國內空白
· 國內首(shou)次研(yan)發(fa)出氣相摻(chan)雜(za)區熔(rong)硅(gui)單(dan)晶的生(sheng)產技術,填(tian)補國內空(kong)白
2005年
· 國(guo)內(nei)首(shou)次研發出區熔氣相摻雜太陽能電池硅單(dan)晶的(de)生(sheng)產(chan)技術,填(tian)補國(guo)內(nei)空白
2008年
· 國內首次研(yan)發(fa)出摻鎵(jia)元(yuan)素太陽能直拉硅單晶(jing)的生產技術,填補國內空白(bai)
2010年
· 國內首次研發出高壓大電流MOSFET,填補國內空白
· 國(guo)(guo)內(nei)首次研發出|GBT器件用區熔(rong)拋光(guang)片(pian)生產技術(shu),填補國(guo)(guo)內(nei)空白
2011年
· 研制生產出中國首顆8英寸區熔硅單晶
2012年
· 研發出太陽能電池用CFZ單晶生產技術
· 研制生產出信(xin)息安全專用激光(guang)打印機
2015年
· 研發出熒(ying)光(guang)量子點微納米級封裝(zhuang)的復(fu)合材料結構 |